TW027U65C,RQ
零件编号：
TW027U65C,RQ
产品分类：
单 FET、MOSFET
制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
描述：
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
包装：
Cut Tape (CT)
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
PDF：
资料
规格
- 零件状态 Active
- 安装类型 Surface Mount
- 场效应晶体管类型 N-Channel
- 场效应晶体管特性 -
- 等级 -
- 认证 -
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 57A (Tc)
- 漏极至源极电压 (Vdss) 650 V
- 最大功耗 156W (Tc)
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 5V @ 3mA
- 工作温度 175°C
- 技术 SiCFET (Silicon Carbide)
- 最大栅源电压 +25V, -10V
- 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） 18V
- 封装 / 外壳 8-PowerSFN
- 供应商器件封装 TOLL
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 2288 pF @ 400 V
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 65 nC @ 18 V
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 40mOhm @ 29A, 18V