TSM011NM03LCR RGG
零件编号：
TSM011NM03LCR RGG
产品分类：
单 FET、MOSFET
制造商：
Taiwan Semiconductor Corporation
描述：
30V, 120A, SINGLE, N-CHANNEL LOW
包装：
Cut Tape (CT)
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
PDF：
资料
规格
- 零件状态 Active
- 安装类型 Surface Mount
- 场效应晶体管类型 N-Channel
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 最大栅源电压 ±20V
- 场效应晶体管特性 -
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 等级 Automotive
- 认证 AEC-Q101
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 2.5V @ 250µA
- 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） 4.5V, 10V
- 漏极至源极电压 (Vdss) 30 V
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 120A (Tc)
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 79 nC @ 10 V
- 最大功耗 96W (Tc)
- 封装 / 外壳 8-PowerTDFN
- 供应商器件封装 8-PDFN (5x6)
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 1.1mOhm @ 20A, 10V
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 4378 pF @ 15 V