RF9L120BLFRATCR
零件编号：
RF9L120BLFRATCR
产品分类：
单 FET、MOSFET
制造商：
ROHM Semiconductor
描述：
NCH 60V 12A, DFN2020Y7LSAA, POWE
包装：
Cut Tape (CT)
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
规格
- 零件状态 Active
- 安装类型 Surface Mount
- 场效应晶体管类型 N-Channel
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 最大栅源电压 ±20V
- 场效应晶体管特性 -
- 等级 Automotive
- 认证 AEC-Q101
- 漏极至源极电压 (Vdss) 60 V
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 12A (Tc)
- 工作温度 150°C (TJ)
- 最大功耗 23W (Tc)
- 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） 6V, 10V
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 7.5 nC @ 10 V
- 封装 / 外壳 6-UDFN Exposed Pad
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 30mOhm @ 3A, 10V
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 440 pF @ 30 V
- 供应商器件封装 DFN2020Y7LSAA
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 4V @ 193µA