NVMFWD020N10MCLT1G
零件编号：
NVMFWD020N10MCLT1G
产品分类：
FET、MOSFET 阵列
制造商：
onsemi
描述：
PTNG 100V LL SO8FL DUAL
包装：
Cut Tape (CT)
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
PDF：
资料
规格
- 零件状态 Active
- 安装类型 Surface Mount
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应晶体管特性 -
- 工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 等级 Automotive
- 认证 AEC-Q101
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 2.2V @ 1mA
- 漏极至源极电压 (Vdss) 100V
- 封装 / 外壳 8-PowerTDFN
- 供应商器件封装 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 8.3A (Ta), 35A (Tc)
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 20mOhm @ 48A, 10V
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10.7nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 789pF @ 50V
- 最大功率 3W (Ta), 54W (Tc)