G3F65MT12K
零件编号：
G3F65MT12K
产品分类：
单 FET、MOSFET
制造商：
GeneSiC Semiconductor
描述：
1200V 65M TO-247-4 G3F SIC MOSFE
包装：
Tube
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
PDF：
资料
规格
- 安装类型 Through Hole
- 零件状态 Active
- 场效应晶体管类型 N-Channel
- 场效应晶体管特性 -
- 工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 等级 Automotive
- 认证 AEC-Q101
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 35A (Tc)
- 漏极至源极电压 (Vdss) 1200 V
- 封装 / 外壳 TO-247-4
- 最大功耗 153W (Tc)
- 技术 SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） 18V
- 供应商器件封装 TO-247-4
- 最大栅源电压 +22V, -10V
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 4.3V @ 10mA
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 55 nC @ 18 V
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 86mOhm @ 15A, 18V
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 1298 pF @ 800 V