EPC2007C
零件编号：
EPC2007C
产品分类：
单 FET、MOSFET
制造商：
EPC
描述：
GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
包装：
Cut Tape (CT)
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
PDF：
资料
规格
- 安装类型 Surface Mount
- 场效应晶体管类型 N-Channel
- 漏极至源极电压 (Vdss) 100 V
- 场效应晶体管特性 -
- 等级 -
- 认证 -
- 零件状态 Not For New Designs
- 最大功耗 -
- 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） 5V
- 工作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
- 封装 / 外壳 Die
- 供应商器件封装 Die
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 6A (Ta)
- 技术 GaNFET (Gallium Nitride)
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 30mOhm @ 6A, 5V
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 2.5V @ 1.2mA
- 最大栅源电压 +6V, -4V
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 2.2 nC @ 5 V
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 220 pF @ 50 V