EPC2367
部品番号：
EPC2367
製品分類：
シングルFET、MOSFET
製造業者：
EPC
説明：
TRANS GAN 100V DIE,1.5 MOHM, 5PI
パッケージ：
Cut Tape (CT)
ROHS状態：
はい
通貨：
USD
PDF：
資料
仕様
- 部品ステータス Active
- FETタイプ N-Channel
- ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 100 V
- FETフィーチャー -
- グレード -
- 認定 -
- 最大消費電力 -
- 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 5V
- 動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
- ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs 17 nC @ 5 V
- 実装タイプ Surface Mount, Wettable Flank
- テクノロジー GaNFET (Gallium Nitride)
- Vgs（最大） +6V, -4V
- Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 10mA
- 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C 78A (Tj)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2mOhm @ 30A, 5V
- 入力容量（Ciss）（最大）@ Vds 2170 pF @ 50 V
- サプライヤーデバイスパッケージ 5-QFN (3.3x3.3)
- パッケージ / ケース 5-PowerWQFN