TW048U65C,RQ

TW048U65C,RQ

Numéro de pièce : TW048U65C,RQ
Catégorie de produit : Transistors uniques FET, MOSFET
Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage
Description : N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.048 (T
Emballage : Cut Tape (CT)
Statut ROHS : Oui
Monnaie : USD
PDF : Documents

Spécifications

  • Statut de la pièce Active
  • Type de montage Surface Mount
  • Type de FET N-Channel
  • FET Caractéristique -
  • Grade -
  • Qualification -
  • Tension Drain-Source (Vdss) 650 V
  • Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C 39A (Tc)
  • Dissipation de puissance (Max) 132W (Tc)
  • Température de fonctionnement 175°C
  • Technologie SiCFET (Silicon Carbide)
  • Vgs (Max) +25V, -10V
  • Tension de commande (Rds On max, Rds On min) 18V
  • Boîtier 8-PowerSFN
  • Fournisseur Dispositif Emballage TOLL
  • Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs 41 nC @ 18 V
  • Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 1.6mA
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1362 pF @ 400 V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs 71mOhm @ 20A, 18V