S2M0080120B
Numéro de pièce :
S2M0080120B
Catégorie de produit :
Transistors uniques FET, MOSFET
Fabricant :
SMC Diode Solutions
Description :
DIODE MOSFETS SILICON CARBIDES 1
Emballage :
Cut Tape (CT)
Statut ROHS :
Oui
Monnaie :
USD
PDF :
Documents
Spécifications
- Statut de la pièce Active
- Type de montage Surface Mount
- Type de FET N-Channel
- FET Caractéristique -
- Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grade -
- Qualification -
- Boîtier TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C 30A (Tc)
- Fournisseur Dispositif Emballage TO-263-7
- Tension Drain-Source (Vdss) 1200 V
- Tension de commande (Rds On max, Rds On min) 20V
- Dissipation de puissance (Max) 176W (Tc)
- Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 10mA
- Technologie SiCFET (Silicon Carbide)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 20A, 20V
- Vgs (Max) +20V, -5V
- Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs 54 nC @ 20 V
- Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1324 pF @ 1000 V