S1M1000170D
Numéro de pièce :
S1M1000170D
Catégorie de produit :
Transistors uniques FET, MOSFET
Fabricant :
SMC Diode Solutions
Description :
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1700V
Emballage :
Tube
Statut ROHS :
Oui
Monnaie :
USD
PDF :
Documents
Spécifications
- Type de montage Through Hole
- Statut de la pièce Active
- Type de FET N-Channel
- FET Caractéristique -
- Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grade -
- Qualification -
- Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C 5.2A (Tc)
- Boîtier TO-247-3
- Fournisseur Dispositif Emballage TO-247AD
- Tension de commande (Rds On max, Rds On min) 20V
- Dissipation de puissance (Max) 81W (Tc)
- Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 500µA
- Tension Drain-Source (Vdss) 1700 V
- Technologie SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- Vgs (Max) +25V, -10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3Ohm @ 2A, 20V
- Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 20 V
- Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 160 pF @ 1000 V