PSMN1R3-80SSFJ
Numéro de pièce :
PSMN1R3-80SSFJ
Catégorie de produit :
Transistors uniques FET, MOSFET
Fabricant :
Nexperia USA Inc.
Description :
NEXTPOWER 80 V, 1.2 MOHM, 335 AM
Emballage :
Cut Tape (CT)
Statut ROHS :
Oui
Monnaie :
USD
PDF :
Documents
Spécifications
- Statut de la pièce Active
- Type de montage Surface Mount
- Type de FET N-Channel
- Technologie MOSFET (Metal Oxide)
- Tension de commande (Rds On max, Rds On min) 10V
- Vgs (Max) ±20V
- FET Caractéristique -
- Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grade -
- Qualification -
- Tension Drain-Source (Vdss) 80 V
- Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
- Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs 246 nC @ 10 V
- Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C 335A (Tc)
- Dissipation de puissance (Max) 341W (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2mOhm @ 25A, 10V
- Fournisseur Dispositif Emballage LFPAK88 (SOT1235)
- Boîtier SOT-1235
- Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 16647 pF @ 40 V