MDD4N65D
Numéro de pièce :
MDD4N65D
Catégorie de produit :
Transistors uniques FET, MOSFET
Fabricant :
MDD
Description :
MOSFET N 650V 4A TO-252
Emballage :
Tape & Reel (TR)
Statut ROHS :
Oui
Monnaie :
USD
PDF :
Documents
Spécifications
- Statut de la pièce Active
- Type de montage Surface Mount
- Type de FET N-Channel
- Technologie MOSFET (Metal Oxide)
- Tension de commande (Rds On max, Rds On min) 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
- FET Caractéristique -
- Grade -
- Qualification -
- Température de fonctionnement 150°C (TJ)
- Boîtier TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V
- Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C 4A (Ta)
- Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 600 pF @ 25 V
- Vgs (Max) ±30V
- Tension Drain-Source (Vdss) 650 V
- Fournisseur Dispositif Emballage TO-252
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8Ohm @ 2A, 10V
- Dissipation de puissance (Max) 77W (Ta)